引:由IBM领衔的三家公司(另外两家公司是Qimonda AG和台湾地区的Macronix)的科学家成功地试制成相变存储器(phase-change memory)芯片的样品。

这种新颖的存储器也是一种非易失性存储器，能比目前音乐播放器和数码相机中的闪存更好地储存音乐、图像或其他数据，最终它还能替代硬盘。与闪存相比，相变存储器的速度快了500倍，写数据所需功率只有闪存的一半。同时，相变存储器的电路所占的面积也比闪存小得多，只有3 x 20纳米。相变存储器也更耐用，写的次数远大于闪存，可达10万次以上。这项技术突破的关键是为相变存储器开发出一种新材料，这种锗合金能掺入其他元素，来增强它的性能。IBM等三家公司目标是在2015年实现批量生产。