想了解一下JTAG原理，在网上看到一篇文章，里面已经把相关内容写得非常详细了，这里分享一下：

http://www.mcuol.com/download/upfile/20080327030215_JTAG原理及sjf2410源码分析.pdf

这篇文章并没有把所有的源码列出来，我看的是windows下面的sjf2410源码，首先我并不想把源码细节全部弄懂，尤其是FLASH操作的过程和时序。我只是想了解JTAG的原理和烧写程序的工作原理。建立在已经看过比较细致的JTAG原理介绍的前提下，下面我对JTAG大致的理解：

JTAG的结构图

JTAG　TAP　状态图：

TCK上升沿时TMS电平确定状态机的转换。

TCK上升沿TDI数据移入JTAG内部数据或指令寄存器

TCK下降沿时TDO数据移出到PC

不同的指令决定连接在TDI与TDO之间的寄存器。当前指令决定当前TDI与TDO之间连接的寄存器级，并且直到一下次写入新指令前连接都有效。指令输入是通过slect-ir-scan---->update-ir状态转换完成的。

边界扫描寄存器BSR是全部串行地连在一起的单元（cell）组成，每个cell连接一个引脚，一个cell能控制对应引脚的输出电平，也能读入当前引脚的电平。

sjf2410软件的工作原理就是控制连接到FLASH芯片对应引脚的cell,模拟FLASH编程时序来完成的。

所以sjf2410源码中先设置EXTEST指令，把BSR连接在TDI与TDO之间。然后串行输入各个cell的值，2410一共是426个，从TDO串行得到各个引脚的输出。当然，烧写程序只关心的是与FLASH引脚相联的那些引脚。BSR可以看成一个426bit长的寄存器。

烧写FLASH时JTAG主要工作流程如下：

状态图中　capture DR 状态时把当前引脚的值读入到边界扫描寄存器BSR中，

　　　　　shift DR状态中串行把TDI移入BSR，同时BSR移出到TDO，直到数据全部移入。

               　update DR状态时才把BSR内容输出到所连接的引脚上。

程序中的对应的数据结构是这样的：

char outCellValue[S2410_MAX_CELL_INDEX+2];//保存TDO串行输出
char inCellValue[S2410_MAX_CELL_INDEX+2]; //TDI串行输入源
int  dataOutCellIndex[32];//保存TDO串行输出的32位数据，比如连接的是数据IDCODE寄存器
int  dataInCellIndex[32];//TDI串行移入的32b数据
int  addrCellIndex[27];//27位总线对应的cell

上述数组就是用一个char或者int的1与0表示对就cell的高低电平。

程序中先对所有引脚进行初始化：用SAMPLE/PRELOAD指令，读出当前426引脚值，把未用的引脚用对应读出值初始化，要用的引脚初始化为安全状态。

然后写入EXTEST指令。并使TAP进入test-idle状态。

现在就可以操作FLASH引脚时序来烧程序了！！！

每次执行一次针对FLASH的操作总是包括了以下过程：

　　　先设置outCellValue[]中要输出引脚。

　　　再通过移位操作把TDI移入（TDO接收）

从操作层面上整个过程可以分三层：

1）最高层是FLASH操作流程，如烧写FLASH时要先写命令80H，再写入地址（地址可能要分三次写），再写入数据，最后写如10H，烧写完毕后再读状态寄存器判断烧写成功。

2）第二层是FLASH时序流程，上述每个操作都对应一系统的时序。比如说写命令80H源码：

static void NF_CMD(U8 cmd)
{  
   
    //Command Latch Cycle
    S2410_SetPin(DATA0_7_CON ,LOW); //D[7:0]=output
    S2410_SetPin(nFCE,LOW);
    S2410_SetPin(nFRE,HIGH);
    S2410_SetPin(nFWE,LOW);

　//Because tCLS=0, CLE & nFWE can be changed simultaneously.
    S2410_SetPin(ALE,LOW);
    S2410_SetPin(CLE,HIGH);
    S2410_SetDataByte(cmd);
    JTAG_ShiftDRStateNoTdo(outCellValue);

    S2410_SetPin(nFWE,HIGH);
    JTAG_ShiftDRStateNoTdo(outCellValue);

#if 1
    S2410_SetPin(CLE,LOW); 
    S2410_SetPin(DATA0_7_CON,HIGH); //D[7:0]=input
    JTAG_ShiftDRStateNoTdo(outCellValue);
#endif
}
3)第3层就是TDI串行移入操作。如上面的JTAG_ShiftDRStateNoTdo(outCellValue); 把426个设置好的位按照captureDR-->updateDR的状态转换过程，串行移入BSR并输出到对应引脚上。

以上就是我自己对JTAG原理和烧写FLASH流程的在宏观上的理解。显然有些浮在上层，没有深入具体的各种时序和编程技术。